3月24日消息，近日中芯国际第一次对外公开了N+1和N+2代工艺的情况，CEO梁孟松表示N+1代工艺与14nm制程工艺相比在性能上提高了20％，功耗降低了57％，芯片面积减少了55％，而N+2代工艺在性能和成本上则更高。
据悉，中芯国际N+1代工艺和台积电第一代7nm工艺相近，N+2代工艺则与台积电的7nm+相近。中芯国际表示，N+1仅是公司内部的代号，和7nm工艺不能划上等号，在2019年第四季度就已经完成了流片，现在正在进行客户产品的验证阶段，将于今年第四季度正式开始量产。
据理解，中芯国际N+1代工艺在功耗、稳定性等方面与市场上成熟的7nm相当，但是在性能上还有较大的差距，其实更接近三星或台积电的10nm工艺，而N+2代工艺与7nm更接近，但是性能仍达不到7nm的要求。
梁孟松表示，目前中芯国际无需EUV光刻机也能实现7nm工艺的生产，台积电第一代7nm工艺也是没有使用EUV，但是之后的5nm、3nm则必须具备EUV。对于我国即将在今年第四季度迎来7nm量产你怎么看？欢迎留言评论。
